RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
68
Autour de 25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
68
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2084
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link