RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2611
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link