RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
51
Autour de -38% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2187
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link