RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
51
Autour de -104% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2169
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link