RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
51
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2286
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link