RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
51
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
46
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2632
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link