RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
65
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
65
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1981
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link