RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2831
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link