RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
51
Autour de -42% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
36
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2696
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link