RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
51
Autour de -28% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2340
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link