RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3054
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link