RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2541
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link