RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
81
Autour de 64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
81
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
1456
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link