RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
29
Autour de -26% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2924
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link