RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Kingston KY7N41-MID 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Kingston KY7N41-MID 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KY7N41-MID 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2869
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link