RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
38
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
2148
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link