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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
29
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
19
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2711
3681
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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