RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
41
Autour de -116% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
3521
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link