RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
41
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
3540
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link