RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.8
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
3773
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link