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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.7
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
41
Autour de -17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
2068
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaison des RAM
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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