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Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Comparez
Mushkin 991586 2GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Note globale
Mushkin 991586 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991586 2GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2156
3475
Mushkin 991586 2GB Comparaison des RAM
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Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
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