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Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Comparez
Mushkin 991586 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Mushkin 991586 2GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991586 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2156
2283
Mushkin 991586 2GB Comparaison des RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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