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Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Comparez
Mushkin 991586 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Note globale
Mushkin 991586 2GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991586 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2156
3064
Mushkin 991586 2GB Comparaison des RAM
Mushkin 999015 4GB
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Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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