RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
63
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
36
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
3044
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link