RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
2382
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link