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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Raisons de considérer
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
63
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
35
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
2560
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
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Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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