RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
63
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
35
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
3045
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link