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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
63
Autour de -110% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
30
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
2709
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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