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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Comparez
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Note globale
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Note globale
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
60
63
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
60
Vitesse de lecture, GB/s
7.7
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1130
2511
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
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