RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1982
3030
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link