RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
3208
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link