RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2211
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link