RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
45
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2281
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link