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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de 49% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
51
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
9.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
2314
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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