RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
37
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3070
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link