RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
55
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
55
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2894
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link