RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2399
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link