RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
37
Autour de -106% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
18
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3778
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link