RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3014
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link