RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3496
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link