RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2690
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link