RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
37
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2326
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link