RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
119
Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
1.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
2.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
119
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
1.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
2.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
447
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Jinyu 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link