RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
99
Autour de 63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
99
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
1386
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link