RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
37
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2633
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link