RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
53
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
53
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2333
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link