RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
37
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2789
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link