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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2751
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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