RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
3562
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link